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减少编程上升时间的闪存存储器及其编程方法 

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申请/专利权人:三星电子株式会社

摘要:本公开提供用于减少编程电压上升时间的方法及装置。在一些实施例中,闪存存储器包括:存储器单元阵列,其包括多个存储器单元;目标电压生成器,其被配置为调整提供给多个存储器单元的字线恢复电压的目标电压电平;以及字线电压控制器,其被配置为提供用于控制字线恢复电压的目标电压电平的恢复控制信号。目标电压生成器还被配置为基于在编程验证操作之后的字线恢复操作期间提供的恢复控制信号,将提供给选择的字线的字线恢复电压调整到目标电压电平,并且通过调整目标电压电平来减少下一编程循环的编程执行操作时段中的编程电压上升时间。

主权项:1.一种闪存存储器,包括:存储器单元阵列,包括多个存储器单元;目标电压生成器,被配置为调整提供给所述多个存储器单元的字线恢复电压的目标电压电平;以及字线电压控制器,被配置为提供用于控制字线恢复电压的目标电压电平的恢复控制信号,其中,目标电压生成器还被配置为:基于在编程验证操作之后的字线恢复操作期间提供的恢复控制信号,将提供给选择的字线的字线恢复电压调整到目标电压电平;以及通过调整目标电压电平来减少下一编程循环的编程执行操作时段中的编程电压上升时间。

全文数据:

权利要求:

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