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申请/专利权人：铠侠股份有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法、衬底分离方法及衬底处理装置。本发明提高半导体存储装置的制造效率，且提高衬底的再利用效率。一实施方式的半导体装置的制造方法包括如下步骤：将第1衬底之上介隔多孔质层而包含第1半导体元件层的第1芯片与第2衬底之上包含第2半导体元件层的第2芯片贴合，而形成包含有效元件区域的贴合衬底，在贴合衬底的包围有效元件区域的非有效元件区域内，从第1衬底侧向多孔质层照射激光，使第1衬底以非有效元件区域的多孔质层为起点从贴合衬底分离。
主权项：1.一种半导体装置的制造方法，其包括如下步骤：将第1衬底之上介隔多孔质层而包含第1半导体元件层的第1芯片与第2衬底之上包含第2半导体元件层的第2芯片贴合，而形成包含有效元件区域的贴合衬底，在所述贴合衬底的包围所述有效元件区域的非有效元件区域内，从所述第1衬底侧向所述多孔质层照射激光，使所述第1衬底以所述非有效元件区域的所述多孔质层为起点从所述贴合衬底分离。
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百度查询： 铠侠股份有限公司 半导体装置的制造方法、衬底分离方法及衬底处理装置
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