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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明公开一种基于激光解键合的钽酸锂薄膜SMR器件制备方法。包括以下步骤：在LiTaO3晶圆内形成多孔气泡层，将LiTaO3晶圆与支撑衬底键合；退火使多孔气泡层断裂，从LiTaO3晶圆剥离，在支撑衬底上形成LiTaO3薄膜；对LiTaO3薄膜进行减薄处理；将第一Si衬底与上述形成在支撑衬底表面的LiTaO3薄膜直接键合；利用激光解键合技术，将LiTaO3薄膜转移至第一Si衬底；在形成有LiTaO3薄膜的第一Si衬底内形成多孔气泡层；在LiTaO3薄膜上淀积下电极和布拉格反射层；将第二Si衬底与上述形成在第一Si衬底表面的布拉格反射层直接键合；使得多孔气泡层从第一Si衬底剥离，去除LiTaO3薄膜表面的Si层，使得LiTaO3薄膜下电极布拉格反射层叠层转移至第二Si衬底；在LiTaO3薄膜上形成上电极。
主权项：1.一种基于激光解键合的钽酸锂薄膜SMR器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在LiTaO3晶圆内形成多孔气泡层，将晶圆分隔为上层LiTaO3薄膜和下层LiTaO3晶圆；将LiTaO3晶圆与支撑衬底键合；进行热退火处理，使得多孔气泡层从LiTaO3晶圆剥离，从而在支撑衬底上形成LiTaO3薄膜；对LiTaO3薄膜进行减薄处理；进行热退火处理，将第一Si衬底与上述形成在支撑衬底表面的LiTaO3薄膜直接键合，并退火形成稳定的键合对；利用激光解键合技术，将LiTaO3薄膜转移至第一Si衬底；在形成有LiTaO3薄膜的第一Si衬底内形成多孔气泡层；在LiTaO3薄膜上淀积下电极和布拉格反射层；进行热退火处理，将第二Si衬底与上述形成在第一Si衬底表面的布拉格反射层直接键合，并退火形成稳定的键合对；进行热退火处理，使得多孔气泡层从第一Si衬底剥离，再对表面进行抛光处理，去除LiTaO3薄膜表面的Si层，使得LiTaO3薄膜下电极布拉格反射层叠层转移至第二Si衬底；在LiTaO3薄膜上形成上电极。
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百度查询： 复旦大学 一种基于激光解键合的钽酸锂薄膜SMR器件制备方法
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