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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了一种鳍型三相忆阻器单元及其制备方法，本发明涉及三相忆阻器单元制备技术领域，现提出如下方案，位于底部的非晶硅衬底、设置在非晶硅衬底顶部上的一号阻变层、以及固定在一号阻变层两侧表面上的二号阻变层和三号阻变层；在本发明中，解决了如何将制备鳍型忆阻器单元的工艺技术问题，增加了忆阻器单元的类型；与现有技术生产出来的三明治忆阻器的单元相比成本低、尺寸更小且集成度更高，通过设计并制备鳍型忆阻器单元构建三相忆阻器的设计，实现适配神经网络的单元架构，高密度且高适配度的忆阻器基本单元，适用于忆阻器的电路应用研究以及实现大规模硬件神经网络开发，总体涉及的材料与CMOS工艺兼容性强，基本适合于工业化生产。
主权项：1.一种鳍型三相忆阻器单元，其特征在于，包括有位于底部的非晶硅衬底1、设置在非晶硅衬底1顶部上的一号阻变层2、以及固定在一号阻变层2两侧表面上的二号阻变层4和三号阻变层6；其中，二号阻变层4和三号阻变层6相互远离的一侧分别设置有固定在非晶硅衬底1顶部表面上的二号忆阻器电极3和三号忆阻器电极7，且二号阻变层4和三号阻变层6相互靠近的一侧设置有固定在一号阻变层2顶部表面上的一号忆阻器电极5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种鳍型三相忆阻器单元及其制备方法
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