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申请/专利权人：合肥工业大学
摘要：本发明提供了一种基于碱金属离子复合钙钛矿单晶忆阻突触器件，包括碱金属修饰的钙钛矿单晶以及附着于所述钙钛矿单晶的两个金属电极；其中，所述钙钛矿单晶采用MAPbBr3、CsPbI3、CsPbCl3、MAPbI3中的一种，进行修饰的碱金属采用Na、K、Li中的一种。本发明还提供一种上述忆阻突触器件的制备方法。本发明的优点在于：通过带正电性的碱金属离子对空穴型导电细丝的形成或断裂行为进行约束，解决现有器件的功耗高、灵敏度低、弛豫时间调控不足的问题。
主权项：1.一种基于碱金属离子复合钙钛矿单晶忆阻突触器件，其特征在于，包括碱金属修饰的钙钛矿单晶以及附着于所述钙钛矿单晶的两个金属电极；其中，所述钙钛矿单晶采用MAPbBr3、CsPbI3、CsPbCl3、MAPbI3中的一种，进行修饰的碱金属采用Na、K、Li中的一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥工业大学 基于碱金属离子复合钙钛矿单晶忆阻突触器件及制备方法
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