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申请/专利权人：睿思微系统(烟台)有限公司
摘要：本发明公开了一种功率放大器的偏置电路、功放模组以及功放芯片，涉及功率放大器技术领域。通过复合管结构的至少两个晶体管的连接关系，相比于传统的偏置电路内三极管串联结构，增大了对温度变化的反馈强度，达到较好的温度补偿。第一电路、第一晶体管和功率放大器之间的连接关系，由于复合管结构在温度升高时，晶体管内的自热效应，使之复合管结构的至少两个晶体管内的电流叠加，导致第一电路对应的压降增大，抑制功率放大器的偏置电流的增大。反之，在温度降低时使之功率放大器的偏置电流的静态电流值趋于稳定，进而电流随温度的提高斜率变化较小，保持信号不失真，提升功率放大器的温度补偿能力。
主权项：1.一种功率放大器的偏置电路，其特征在于，包括第一电路、第一晶体管和包含至少两个晶体管构成的复合管；其中，所述复合管的当前晶体管的发射极连接下一个晶体管的基极，首个晶体管的基极连接所述第一晶体管的基极；所述复合管除首个晶体管之外的其余晶体管的集电极相互连接；最后一个晶体管的发射极接地；所述第一电路的第一端连接所述第一晶体管的集电极，且连接所述复合管的首个晶体管的集电极；所述第一电路的第二端连接所述复合管除首个晶体管之外的其余晶体管的集电极，且连接所述第一晶体管的基极和所述复合管的首个晶体管的基极；所述第一晶体管的发射极连接功率放大器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 睿思微系统(烟台)有限公司 一种功率放大器的偏置电路、功放模组以及功放芯片
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