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申请/专利权人：成都雷电微力科技股份有限公司
摘要：本申请的实施例提供了一种3D异构自激抑制功放芯片及其自激抑制方法，涉及芯片设计技术领域，所述芯片包括：射频芯片和硅基控制芯片；所述射频芯片上设置有功放电路和检波二极管，所述功放电路与所述检波二极管连接；所述硅基控制芯片上设置有电压比较器，所述检波二极管与所述电压比较器的输入端连接；所述电压比较器的输出端与所述功放电路连接。本申请的技术方案，通过在功放芯片自激时在功放晶体管栅极处增加夹断电压，解决功放芯片的自激；具有结构简单、实用性强等优点，在毫米波频段具有广泛的应用价值。
主权项：1.一种3D异构自激抑制功放芯片，其特征在于，包括：射频芯片和硅基控制芯片；所述射频芯片上设置有功放电路和检波二极管，所述功放电路与所述检波二极管连接；所述硅基控制芯片上设置有电压比较器，所述检波二极管与所述电压比较器的输入端连接；所述电压比较器的输出端与所述功放电路连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都雷电微力科技股份有限公司 一种3D异构自激抑制功放芯片及其自激抑制方法
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