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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明公开了一种二维过渡金属硼化物Boridene材料及其制备方法与应用，包括：将Mo、Y、Al和B单质粉末混合，烧结，制得前驱体材料i‑MAB相；将前驱体材料i‑MAB相加入氟化锂和盐酸溶液的混合溶液中进行水热反应，对得到的水热反应产物进行清洗，得到多层Boridene，与四甲基氢氧化铵溶液混合进行插层反应，对插层反应得到的产物进行清洗，取沉淀进行低温超声处理，得到少层Boridene悬浊液，离心处理，得到少层Boridene溶液，冷冻干燥后，得到少层Boridene材料。本发明制备过程简单、条件简易、无污染、安全性好、产率高，加工为电极后可用于超级电容领域。
主权项：1.一种二维过渡金属硼化物Boridene材料的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：将Mo、Y、Al和B单质粉末混合，烧结，制得前驱体材料i-MAB相；步骤2：将前驱体材料i-MAB相加入氟化锂和盐酸溶液的混合溶液中进行水热反应，对得到的水热反应产物进行清洗，得到多层Boridene；步骤3：将多层Boridene与四甲基氢氧化铵溶液混合进行插层反应，对插层反应得到的产物进行清洗，取沉淀进行低温超声处理，得到少层Boridene悬浊液；步骤4：将少层Boridene悬浊液离心处理，得到少层Boridene溶液，冷冻干燥后，得到少层Boridene材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种二维过渡金属硼化物Boridene材料及其制备方法与应用
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