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申请/专利权人：深圳帧观德芯科技有限公司
摘要：本文公开这样的装置，其包括：雪崩光电二极管APD阵列，APD中的每个包括吸收区和放大区；其中吸收区配置成从吸收区所吸收的光子产生载流子；其中所述吸收区包括硅外延层；其中所述放大区包括结，在该结中具有电场；其中电场处于足以导致进入放大区的载流子雪崩但不足以使雪崩自持的值；其中APD的结是离散的。
主权项：1.一种用于图像感测的装置，其包括：雪崩光电二极管阵列，即，APD阵列，所述APD阵列中的每个APD包括吸收区和放大区；其中所述吸收区配置成从所述吸收区所吸收的光子产生载流子；其中所述吸收区包括硅层，所述硅层是本征半导体或极轻掺杂半导体的硅衬底；其中所述放大区包括结，所述结包括第一层、第三层和第二层，所述第一层是形成于所述硅层表面的硅外延层，所述第三层是形成于所述第一层远离所述硅层一侧的本征半导体外延层，所述第三层通过所述第一层与所述硅层完全分离，所述第二层形成于所述第三层远离所述第一层的一侧，所述第一层位于所述硅层和所述第三层之间，所述第三层位于所述第一层和所述第二层之间；其中在所述结中具有电场，所述电场处于足以导致进入所述放大区的载流子雪崩但不足以使雪崩自持的值；其中所述APD的结是离散的。
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权利要求：
百度查询： 深圳帧观德芯科技有限公司 基于雪崩光电二极管的图像感测器
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