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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种p‑NiOn‑Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管及制备方法，解决了现有技术中Ga2O3场效应管导通电阻过大与耐压不足的问题。本发明自下而上包括：漏电极、衬底、凸台结构的外延层、覆盖在外延层台阶上表面以及凸台侧壁的Al2O3层、覆盖在Al2O3层外侧的栅极金属层、覆盖在栅极金属层外侧的SiO2层、源电极，外延层凸出部分表面与源电极之间设有NiO薄膜层，NiO薄膜层与n‑Ga2O3外延层形成异质结。制备步骤有：预处理衬底、制作漏极、刻蚀外延层、淀积Al2O3层与栅极金属层、制作p‑NiOn‑Ga2O3异质结、淀积SiO2层、制作源电极。本发明凭借p‑NiOn‑Ga2O3异质结产生的空穴超注入效应，显著提高器件耐压，大幅降低导通电阻，在大功率、军工等领域应用前景广阔。
主权项：1.一种p-NiO-Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管，自下而上设有：漏电极、衬底、圆形凸台结构的外延层、覆盖在外延层台阶上表面以及凸台侧壁的Al2O3隔离层、覆盖在Al2O3隔离层外侧并在一侧沉积栅极焊盘G的栅极金属层、覆盖在栅极金属层外侧的SiO2隔离层、覆盖器件上表面并在栅极焊盘G部分做出开窗的源电极，凸台结构凸出部分圆心位于器件正中心，其特征在于：所述外延层为n-Ga2O3氧化镓材料外延，外延层凸台顶部的上表面与源电极之间设有p型NiO薄膜层，p型NiO薄膜层与n-Ga2O3外延层形成异质p-n结；所设漏电极、衬底、圆形凸台结构的外延层、p型NiO薄膜层都中心对称，整体构成高耐压、低导通电阻、低功耗的p-NiO-Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管。
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权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学广州研究院 西安电子科技大学 p-NiO/n-Ga2O3空穴超注入低电阻垂直型场效应晶体管及制备方法
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