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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及可靠性失效闪存芯片的筛选方法。该方法包括：提供处于第一编程模式的闪存芯片；在所述第一编程模式基础上加强编程操作形成第二编程模式；所述第二编程模式能够激发相邻两列存储单元之间的穿通缺陷，使得存在穿通缺陷的相邻两列存储单元中的第一存储单元的位线电压变化为第一实际位线电压；变化为第一实际位线电压的一列存储单元处于编程失败状态；读出所述闪存芯片中的失效存储单元地址；基于所述失效存储单元地址识别所述闪存芯片的失效存储单元地址规律；判断所述失效存储单元地址规律是否存在呈位线方向延伸的失效存储单元。
主权项：1.一种可靠性失效闪存芯片的筛选方法，闪存芯片包括阵列排布的存储单元，其特征在于，所述可靠性失效闪存芯片的筛选方法包括以下步骤：S1：提供处于第一编程模式的闪存芯片；在所述第一编程模式下，所述闪存芯片任意两列相邻存储单元中的第一列存储单元的位线施加有第一位线电压，第二列存储单元的位线施加有第二位线电压；施加所述第一位线电压的第一列存储单元处于编程状态，施加所述第二位线电压的第二列存储单元处于未编程状态；S2：在所述第一编程模式基础上加强编程操作形成第二编程模式；所述第二编程模式能够激发相邻两列存储单元之间的穿通缺陷，使得存在穿通缺陷的相邻两列存储单元中的第一存储单元的位线电压变化为第一实际位线电压；变化为第一实际位线电压的一列存储单元处于编程失败状态；S3：读出所述闪存芯片中的失效存储单元地址；S4：基于所述失效存储单元地址识别所述闪存芯片的失效存储单元地址规律；S5：判断所述失效存储单元地址规律是否存在呈位线方向延伸的失效存储单元；当所述失效存储单元地址规律存在呈位线方向延伸的失效存储单元，确定所述闪存芯片为可靠性风险失效的芯片；所述可靠性风险失效的芯片在后续测试阶段能够被剔除；当存在失效存储单元且失效存储单元地址规律不存在呈位线方向延伸的失效存储单元，确定所述闪存芯片为出现本征反应的芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 可靠性失效闪存芯片的筛选方法
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