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申请/专利权人：无锡琨圣智能装备股份有限公司
摘要：本发明公开了一种掩膜去除工艺，掩膜层材料为热熔材料，本申请先采用高温烘箱预处理硅片，使大部分热熔材料能够熔化进而回收利用，再用热水超声结合鼓泡处理硅片，去除部分热熔材料，剩余微量热熔材料再使用碱液（BDG和KOH或BDG和NaOH的混合溶液）去除。本发明掩膜去除工艺极大降低了有机溶剂和碱的使用量，节省成本的同时也更加环保；此外，因为大部分形成掩膜层的热熔材料能够回收，所以也降低了后续废液的处理成本。
主权项：1.一种掩膜去除工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、预处理：将具有掩膜层的硅片用高于掩膜材料熔点的温度进行预处理，除去部分掩膜材料；S2、超声去除掩膜材料：将所述硅片浸没于热水中，同时在超声波辅助下，对所述热水进行鼓泡处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡琨圣智能装备股份有限公司 一种掩膜去除工艺
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