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申请/专利权人：国立大学法人东海国立大学机构;田中贵金属工业株式会社
摘要：本发明涉及由含有Ag、Au、S及金属M作为必要构成元素的化合物构成的半导体纳米粒子。在本发明中，所述金属M为Al、Ga、In、Tl、Zn、Cd、Hg、Cu中的至少任一者，所述化合物的Ag、Au、S及金属M的合计含量为95质量％以上。另外，AgAuS系多元化合物中的Ag的原子数相对于Ag的原子数x和Au的原子数y的合计之比xx+y优选为0.50以上0.88以下。本发明的半导体纳米粒子具有适当的发光吸光特性，并且具有生物体亲和性。
主权项：1.一种半导体纳米粒子，其是由含有Ag、Au、S及金属M作为必要构成元素的化合物构成的半导体纳米粒子，所述金属M为Al、Ga、In、Tl、Zn、Cd、Hg、Cu中的至少任一者，所述化合物的Ag、Au、S及金属M的合计含量为95质量％以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国立大学法人东海国立大学机构 田中贵金属工业株式会社 由AgAuS系多元化合物构成的半导体纳米粒子
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