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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本申请提供了一种阶梯开启屏蔽栅MOSFET的制备方法及屏蔽栅MOSFET，对处于所述第一多晶硅一侧的区域进行非晶化处理，所述区域为去除所述第一氧化层的区域；所以本申请在不增加额外掩模版的情况下，实现非对称栅氧化层厚度从而调节非均一化的阈值，可实现屏蔽栅MOSFET的二次开启，且在屏蔽栅MOSFET高频工作时，调整电流流通的沟道，补偿MOSFET温度特性，在不增加成本的前提下，可以增加安全工作区窗口。
主权项：1.一种阶梯开启屏蔽栅MOSFET的制备方法，其特征在于，包括：在外延层中刻蚀沟槽，所述外延层的上表面设置有掩膜层；在所述沟槽中和所述掩膜层的上表面生长第一氧化层；在所述沟槽中沉积第一多晶硅，并对所述第一多晶硅进行回刻；对所述沟槽中的第一氧化层进行刻蚀，直到去除所述掩膜层的上表面的第一氧化层和所述第一多晶硅两侧的部分第一氧化层；对处于所述第一多晶硅一侧的区域进行非晶化处理，所述区域为去除所述第一氧化层的区域；去除掩膜层；在去除所述第一氧化层所在区域的所述第一多晶硅的侧壁和沟槽侧壁生长第二氧化层，其中，经过非晶化处理的所述沟槽的侧壁上的第二氧化层的厚度大于未经过非晶化处理的所述沟槽的侧壁上第二氧化层的厚度；在所述第二氧化层围成的空间中沉积第二多晶硅以作为栅极；在所述外延层中形成第一掺杂类型的阱区；在所述阱区设置第二掺杂类型的注入区；在所述沟槽中和所述外延层的上表面沉积第三氧化层；刻蚀贯穿所述第三氧化层、注入区和阱区的第一接触孔和贯穿所述第三氧化层和第一多晶硅的第二接触孔以引出源极，刻蚀贯穿所述第三氧化层和第二多晶硅的第三接触孔引出栅极；在所述衬底的背面设置金属层以引出漏极。
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权利要求：
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种阶梯开启屏蔽栅MOSFET的制备方法及阶梯开启屏蔽栅MOSFET
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