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申请/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
摘要：本发明公开了一种熔融法制备氟化钇锂晶体生长原料装置及方法，属于激光晶体技术领域，包括坩埚、加热器、温场及打捞杆；所述坩埚用于盛放晶体生长原料，坩埚上部设置有带圆孔的盖片，周围由内至外设置有加热器和温场，坩埚放置于支撑板上；所述打捞杆穿过温场顶部中间位置和盖片圆孔伸入所述坩埚内部。本发明不受生长晶体温场结构和生长工艺限制，通过近密闭式温场结构设计，可大幅降低LiF单组分原料挥发，减小晶体原料的组分偏离；近等温温场结构设计，实现原料的充分熔化，并降低熔体对流，漂浮物的充分打捞；采用高于晶体熔点的温度打捞漂浮物，不会粘结晶相原料，节省原料；可采用大容积坩埚和大尺寸温场，实现一次大重量原料的制备。
主权项：1.一种熔融法制备氟化钇锂晶体生长原料装置，其特征在于：包括坩埚、加热器、温场及打捞杆；所述坩埚用于盛放晶体生长原料，坩埚上部设置有带圆孔的盖片，周围由内至外设置有加热器和温场，所述温场为多层钼反射屏，包括底部反射屏、侧面反射屏和顶部反射屏；坩埚放置于支撑板上；所述打捞杆穿过温场顶部中间位置和盖片圆孔伸入所述坩埚内部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院合肥物质科学研究院 一种熔融法制备氟化钇锂晶体生长原料装置及方法
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