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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本申请公开了一种高耐压的碳化硅基雪崩晶体管，包括依次设置的集电区电极、集电区n+衬底层、集电区n0外延层、p+基区层及n+发射区层；p+基区层中设置高掺杂的欧姆接触区域，同时在集电区n0外延层边缘通过离子注入形成高掺杂的浮空保护环作为终端，在离子注入处用碳膜保护注入窗口；在碳膜上淀积氧化层；还有分步骤淀积的基区电极和发射区电极，其中基区电极与设置的欧姆接触区域相连，发射区电极穿过氧化层后与n+发射区接触。本申请提供了一种高耐压的碳化硅基雪崩晶体管，解决了现有硅基雪崩晶体管静态耐压低、导通电阻高、动态开通的电压下降率低的问题。
主权项：1.一种高耐压的碳化硅基雪崩晶体管，其特征在于，包括依次设置的集电区电极、集电区n+衬底层1、集电区n0外延层2、p+基区层3和n+发射区层4；p+基区层中设置高掺杂的欧姆接触区域5，同时在集电区n0外延层2边缘通过离子注入形成高掺杂的浮空保护环6作为终端，在离子注入处用碳膜层7保护注入窗口；在碳膜层上淀积氧化层8；分步骤淀积的基区电极11和发射区电极10，所述基区电极11与设置的欧姆接触区域5相连，所述发射区电极10穿过所述氧化层8后与所述n+发射区4接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种高耐压的碳化硅基雪崩晶体管
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