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申请/专利权人：浙江大学;浙江大学杭州国际科创中心;北京智芯微电子科技有限公司
摘要：本发明公开一种主从栅极和分裂场板结构的LDMOS器件结构。本发明包括衬底区、沟道区、漂移区、主栅极结构、从栅极结构和分裂场板结构。所述从栅极结构位于所述漂移区表面，用于漂移区域的沟道调节；所述场板结构有多个，均位于所述漂移区表面，且在从栅极结构与漏区之间，用于优化漂移区的电场分布，减少局部电场集中。本发明通过在常规栅极旁增加了一个尺寸更小的栅极，并额外添加电压，以期望能够实现更好的LDMOS器件电学性能。本发明通过添加分列式的多个浮动场板，将浮动场板放置在漂移区域的顶部，可以帮助优化漂移区的电场分布，减小电场峰值强度，降低边缘效应，从而提高器件的性能和稳定性。
主权项：1.一种主从栅极和分裂场板结构的LDMOS器件结构，包括衬底区、沟道区、漂移区、主栅极结构、从栅极结构和分裂场板结构，其特征在于：所述从栅极结构位于所述漂移区表面，用于漂移区域的沟道调节；所述场板结构有多个，均位于所述漂移区表面，且在从栅极结构与漏区之间，用于优化漂移区的电场分布，减少局部电场集中。
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百度查询： 浙江大学 浙江大学杭州国际科创中心 北京智芯微电子科技有限公司 一种主从栅极和分裂场板结构的LDMOS器件结构
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