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申请/专利权人:松山湖材料实验室
摘要:本申请涉及一种晶圆级过渡金属硫属化合物及其制备方法和装置。本申请的晶圆级过渡金属硫属化合物的制备装置中,在竖直方向上,用于支撑衬底的支撑位的位置高于第一源支撑面和第二源支撑面。使用该晶圆级过渡金属硫属化合物的制备装置进行晶圆级过渡金属硫属化合物的制备时,能够降低硫族源和过渡金属源在衬底表面的不均匀性。同时,本申请的晶圆级过渡金属硫属化合物的制备方法利用上述装置,源在竖直方向上沿逆重力方向传输到衬底表面,有效解决了大尺寸的晶圆级过渡金属硫属化合物制备时的均匀性较差的问题。同时可以通过增加衬底支撑位点的方式实现一次多片批量化生长。
主权项:1.一种晶圆级过渡金属硫属化合物的制备装置,其特征在于,包括:反应腔体;设置于所述反应腔体内部的第一源支撑管和第二源支撑管,所述第一源支撑管具有用于支撑硫族源的第一源支撑面,所述第二源支撑管具有用于支撑过渡金属源的第二源支撑面;第一进气管道和第二进气管道,所述第一进气管道和所述第二进气管道均贯穿所述反应腔体;所述第一进气管道连接于所述第一源支撑管以用于为所述第一源支撑管提供竖直向上的气体,所述第二进气管连接于所述第二源支撑管以用于为所述第二源支撑管提供竖直向上的气体;设置于所述反应腔体内部的中空的支撑架,所述支撑架具有用于支撑衬底的支撑位;在竖直方向上,所述支撑位的位置高于所述第一源支撑面和所述第二源支撑面。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 松山湖材料实验室 晶圆级过渡金属硫属化合物及其制备装置和方法
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