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申请/专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
摘要：提供一种接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性，适合于车载用设备。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，接合线含有合计为0.1～100质量ppm的As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的1种以上的元素。由此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材还含有分别为0.011～1.2质量％的Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的1种以上时，能够提高在170℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成含有Au和Pd的合金表皮层时，楔接合性改善。
主权项：1.一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，所述接合线含有选自As、Te中的至少1种元素，相对于线整体，所述选自As、Te中的至少1种元素的浓度合计为100质量ppm以下，相对于线整体，As元素的浓度为6.2质量ppm以上，或者，相对于线整体，Te元素的浓度大于2质量ppm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日铁新材料股份有限公司 日铁化学材料株式会社 半导体装置用接合线
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