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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种氧化镍氧化镓异质PN结二极管及制备方法，制备方法包括：在氧化镓衬底的第一表面制备氧化镓漂移层；在氧化镓衬底的第二表面制备阴极金属层；在氧化镓漂移层的表面制备第一P型氧化镍层；在活性氧原子环境中对第一P型氧化镍层进行表面处理，形成位于第一P型氧化镍层至少部分表层的高掺杂浓度的第二P型氧化镍层；在第二P型氧化镍层的至少部分表面制备阳极金属层。本发明通过活性氧原子环境来调控氧化镍浓度，可显著降低二极管正向导通电阻；将角度可控光刻工艺与界面处理技术结合制备出具有渐变浓度的边缘区域作为终端结构，进一步缓解了阳极边缘电场集中效应，提高反向击穿电压，使器件的巴利加优值得到极大地提升。
主权项：1.一种氧化镍氧化镓异质PN结二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、在氧化镓衬底1的第一表面制备氧化镓漂移层2；S2、在所述氧化镓衬底1的第二表面制备阴极金属层5；S3、在所述氧化镓漂移层2的表面制备第一P型氧化镍层3；S4、在活性氧原子环境中对所述第一P型氧化镍层3进行表面处理，形成位于所述第一P型氧化镍层3至少部分表层的第二P型氧化镍层4，其中，所述第二P型氧化镍层4的掺杂浓度大于所述第一P型氧化镍层3的掺杂浓度；S5、在所述第二P型氧化镍层4的至少部分表面制备阳极金属层6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种氧化镍/氧化镓异质PN结二极管及制备方法
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