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申请/专利权人:西湖大学光电研究院
摘要:本发明公开了一种偏压调控量子点梯度掺杂PN结的红外光谱器件制备方法,包括:利用表面配体调控量子点薄膜掺杂浓度和类型,设计获得“强P型‑次强P型‑弱P型‑本征型‑N型层”及“大带隙—中大带隙‑中带隙‑中小带隙‑小带隙”的探测器结构;利用偏压调控,实现量子点梯度掺杂PN结红外探测器对不同光谱的不同响应,制备获得带隙掺杂双梯度PN结的红外光谱器件。本发明制备的光谱器件,无需复杂的分光光路或针对特定谱段设计的滤光片等微结构,仅需调控探测器工作的偏压,即可分辨光谱,同时实现了小型化和高光子利用效率。
主权项:1.一种偏压调控量子点梯度掺杂PN结的红外光谱器件制备方法,其特征在于,包括:利用表面配体调控量子点薄膜掺杂浓度和类型,设计获得“强P型-次强P型-弱P型-本征型-N型层”及“大带隙—中大带隙-中带隙-中小带隙-小带隙”的探测器结构;利用偏压调控,实现量子点梯度掺杂PN结红外探测器对不同光谱的不同响应,制备获得带隙掺杂双梯度PN结的红外光谱器件。
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