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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：根据本公开的光检测装置1包括光电转换区域3、浮动扩散区域4、接地区域5、纵型栅极6和绝缘层9。所述光电转换区域3设置在半导体层2中，并且将入射光转换为信号电荷。所述浮动扩散区域4设置在所述半导体层2中，并且保持从所述光电转换区域3传输的信号电荷。所述接地区域5设置在所述半导体层2中，并且连接到接地。所述纵型栅极6设置在所述浮动扩散区域4和所述接地区域5之间，并且在所述半导体层2的深度方向上从所述半导体层2的主面朝向所述光电转换区域3延伸。所述绝缘层9埋设在所述纵型栅极6的至少面对所述接地区域5的一侧。
主权项：1.一种光检测装置，包括：光电转换区域，其设置在半导体层中并且将入射光转换为信号电荷；浮动扩散区域，其设置在所述半导体层中并且保持从所述光电转换区传输的信号电荷；接地区域，其设置在所述半导体层中并且连接到接地；纵型栅极，其设置在所述浮动扩散区域和所述接地区域之间，并且在所述半导体层的深度方向上从所述半导体层的主面朝向所述光电转换区域延伸；和绝缘层，其埋设在所述纵型栅极的至少面对所述接地区域的部分中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 光检测装置
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