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申请/专利权人：贵州师范大学
摘要：本发明公开了一种纳米尺度空气沟道器件结构及其制备工艺，涉及半导体技术领域，其结构包括衬底、第一介质层、第一硅层、第二介质层、空气沟道、第二硅层，其制备工艺步骤包括：S1：在硅衬底淀积第一介质层；S2：淀积第一硅层，进行掺杂操作1，调节第一硅层的功函数；S3：淀积第二介质层；S4：采用图形化工艺刻蚀形成凹槽；S5：通过外延技术在凹槽中外延形成锗硅；S6：淀积第二硅层，进行掺杂操作2，调节第二硅层的功函数；S7：通过湿法刻蚀技术，刻蚀步骤S5外延生长的锗硅，形成空气沟道。本发明通过预先淀积锗硅的方法，后续直接湿法刻蚀锗硅，以精确控制沟道宽度，制备稳定宽度的器件，且刻蚀的沟道在内部，后续工艺中生长材料不会污染沟道。
主权项：1.一种纳米尺度空气沟道器件结构，其特征在于：所述纳米尺度空间沟道器包括衬底1、第一介质层2、第一硅层3、第二介质层4、空气沟道5、第二硅层6，所述衬底1上垂直堆叠有第一介质层2，所述第一介质层2上垂直堆叠有第一硅层3，所述第一硅层3上垂直堆叠有若干第二介质层4，相邻两个所述第二介质层4之间设置有与第二介质层4等高的空气沟道5，所述第二介质层4与空气沟道5上垂直堆叠有第二硅层6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 贵州师范大学 一种纳米尺度空气沟道器件结构及其制备工艺
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