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申请/专利权人：通用电气公司
摘要：提供了一种半导体装置。该半导体装置包括具有碳化硅并且具有上表面和下表面的半导体装置层。该半导体装置还包括在半导体装置层的上表面中形成的重掺杂本体区。该半导体装置还包括邻近半导体装置层的上表面并且在半导体装置层的上表面的顶部形成的栅极叠层，其中，栅极叠层未邻近重掺杂本体区形成。
主权项：1.一种半导体装置，包括：基板；第一条带单元，所述第一条带单元通过形成在所述基板上的有源区在纵向上布置，其中，所述第一条带单元的每个单元包括重掺杂本体区；第二条带单元，所述第二条带单元穿过形成在所述基板上的所述有源区平行于所述第一条带单元形成，其中，所述第二条带单元与所述第一条带单元横向间隔开，并且其中，所述第二条带单元的每个单元包括重掺杂本体区；端接区，所述端接区具有重掺杂区，所述重掺杂区接近所述第一条带单元和所述第二条带单元中的每一个的一端形成，并且以纵向本体区边缘间隔（φ）间隔开，其中，所述纵向本体区边缘间隔（φ）是所述有源区与栅极焊盘区下方的区之间的距离；其中，所述第一条带单元中的每个单元的所述重掺杂本体区与所述第二条带单元中的每个单元的相应重掺杂本体区以横向本体区间隔（λ）间隔开；并且其中，所述纵向本体区边缘间隔（φ）小于或等于所述横向本体区间隔（λ），并且其中，所述端接区形成在所述第一条带单元和所述第二条带单元的一端，与栅极金属接触区相对，并且其中，所述栅极金属接触区未邻近所述重掺杂本体区形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 通用电气公司 半导体装置布局及其形成方法
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