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布局设计方法及使用其的集成电路器件制造方法 

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申请/专利权人:三星电子株式会社

摘要:本发明构思涉及一种布局设计方法及使用其的集成电路器件制造方法。该布局设计方法包括:设计栅极布局,栅极布局包括第一区域中的栅极图案和第二区域中的栅极对准标记图案;设计接触布局,接触布局包括第一区域中的接触图案和第二区域中的接触对准标记图案;以及设计接触切割布局,接触切割布局包括用于切割接触图案的一部分和用于切割接触对准标记图案的一部分的接触切割图案,其中接触对准标记图案包括与栅极对准标记图案重叠的栅极‑接触交叠图案,并且接触切割图案包括与栅极‑接触交叠图案重叠的栅极‑接触交叠切割图案。

主权项:1.一种布局设计方法,包括:设计栅极布局,所述栅极布局包括第一区域中的栅极图案和第二区域中的栅极对准标记图案;设计接触布局,所述接触布局包括第一区域中的接触图案和第二区域中的接触对准标记图案;以及设计接触切割布局,所述接触切割布局包括用于切割所述接触图案的一部分和用于切割所述接触对准标记图案的一部分的接触切割图案,其中所述接触对准标记图案包括与所述栅极对准标记图案重叠的栅极-接触交叠图案,以及所述接触切割图案包括与所述栅极-接触交叠图案重叠的栅极-接触交叠切割图案。

全文数据:

权利要求:

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