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申请/专利权人：株式会社国际电气
摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质，课题在于使形成于衬底上的膜的特性提高。将包括下述a和b的循环进行规定次数：a向在表面具有能够吸附由原料生成的中间体但无法吸附前述原料的第1吸附位点、和能够吸附前述原料和前述中间体的第2吸附位点的衬底供给抑制剂，使前述抑制剂吸附于前述第1吸附位点及前述第2吸附位点的工序；和b向使前述抑制剂吸附于前述第1吸附位点及前述第2吸附位点之后的前述衬底供给前述原料，由前述原料生成前述中间体，使吸附于前述第2吸附位点的前述抑制剂脱离，使前述原料和前述中间体吸附于前述第2吸附位点而形成第1层的工序。
主权项：1.衬底处理方法，其具有通过将包括下述a和b的循环进行规定次数从而在衬底的表面上形成膜的工序：a向在表面具有能够吸附由原料生成的中间体但无法吸附所述原料的第1吸附位点、和能够吸附所述原料和所述中间体的第2吸附位点的衬底供给抑制剂，使所述抑制剂吸附于所述第1吸附位点及所述第2吸附位点的工序；和b向使所述抑制剂吸附于所述第1吸附位点及所述第2吸附位点之后的所述衬底供给所述原料，由所述原料生成所述中间体，使吸附于所述第2吸附位点的所述抑制剂脱离，使所述原料和所述中间体吸附于所述第2吸附位点而形成第1层的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社国际电气 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质
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