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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法，涉及多线切割技术领域，在多线切割的过程中，根据砂浆类型及晶锭切割深度控制夹紧装置的温度，减小切割晶锭热膨胀量，控制夹紧装置的在X轴、Y轴、ZY轴合成方向的位移，使得切割后得到的整批次硅片的proflie相同。
主权项：1.一种控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法，其特征在于，在多线切割的过程中，根据砂浆类型及晶锭切割深度控制夹紧装置的温度，减小切割晶锭及夹紧装置的热膨胀量，使得切割后得到的整批次的proflie相同。
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权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 控制300mm晶圆切割后整个批次形貌一致的方法
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