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申请/专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
摘要：本发明属于半导体器件领域，公开了一种用于抗闩锁的高压ESD保护器件，在所述器件的截面上，第二导电类型高掺杂触发电压调整区，位于所述第二导电类型低掺杂漂移区内部上方；至少一列自建电势区，至少一列所述自建电势区间隔排列设置在第二导电类型低掺杂漂移区内部上方，且位于第二导电类型高掺杂触发电压调整区和第二导电类型高掺杂漏区之间；以及至少一个附加漏极电极，每列自建电势区分别对应引出一个附加漏极电极。本发明不仅可以实现单体ESD保护器件的维持电压Vh可选功能，满足单体器件的不同应用需求，同时使得单体ESD保护器件的击穿电压BV不发生变化，实现高压ESD保护功能。
主权项：1.一种用于抗闩锁的高压ESD保护器件，在所述器件的截面上，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型低掺杂漂移区，位于所述第一导电类型衬底内部上方；第二导电类型高掺杂漏区，位于所述第二导电类型低掺杂漂移区内部上方，且由第二导电类型高掺杂漏区的上表面引出主漏极电极；第二导电类型高掺杂源区，位于所述第一导电类型衬底内部上方；第一导电类型高掺杂源区，位于所述第一导电类型衬底内部上方，且第一导电类型高掺杂源区位于第二导电类型高掺杂源区远离第二导电类型低掺杂漂移区的一侧，且所述第一导电类型高掺杂源区和第二导电类型高掺杂源区侧边相互接触，且由第一导电类型高掺杂源区和第二导电类型高掺杂源区相连引出器件的源极电极；其特征在于，还包括：第二导电类型高掺杂触发电压调整区，位于所述第二导电类型低掺杂漂移区内部上方；至少一列自建电势区，至少一列所述自建电势区间隔排列设置在第二导电类型低掺杂漂移区内部上方，且位于第二导电类型高掺杂触发电压调整区和第二导电类型高掺杂漏区之间；以及至少一个附加漏极电极，每列自建电势区分别对应引出一个附加漏极电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏应能微电子股份有限公司 一种用于抗闩锁的高压ESD保护器件
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