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MOM电容器及其形成方法 

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申请/专利权人:联合微电子中心有限责任公司

摘要:一种MOM电容器及其形成方法,所述MOM电容器包括:半导体衬底;多层金属层,形成于所述半导体衬底的表面,每层金属层包括多个交替间隔排布且极性相反的第一电极和第二电极,以及连接各个第一电极的第一汇总电极和连接各个第二电极的第二汇总电极;第一通孔,位于相邻金属层的第一电极之间,且相邻金属层的第一电极通过所述第一通孔电性连接;第二通孔,位于相邻金属层的第二电极之间,且相邻金属层的第二电极通过所述第二通孔电性连接;其中,每对相邻金属层的第一电极的延伸方向一致,每对相邻金属层的第二电极的延伸方向一致。通过本公开方案,可以在有限的空间下提高MOM电容器的电容密度,进而增大MOM电容器的电容总量。

主权项:1.一种MOM电容器,其特征在于,包括:半导体衬底;多层金属层,形成于所述半导体衬底的表面,每层金属层包括多个交替间隔排布且极性相反的第一电极和第二电极,以及连接各个第一电极的第一汇总电极和连接各个第二电极的第二汇总电极;第一通孔,位于相邻金属层的第一电极之间,且相邻金属层的第一电极通过所述第一通孔电性连接;第二通孔,位于相邻金属层的第二电极之间,且相邻金属层的第二电极通过所述第二通孔电性连接;其中,每对相邻金属层的第一电极的延伸方向一致,每对相邻金属层的第二电极的延伸方向一致。

全文数据:

权利要求:

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