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申请/专利权人：北京工业大学
摘要：本发明提出一种制备Ge‑Cu复合的纳米网状电极结构的方法。首先，通过激光增材制造技术在超薄Cu箔表面成形Al‑Ge‑Cu合金层作为电极前驱体。然后通过化学脱合金选择性去除Al元素，获得Ge‑Cu复合的纳米网状电极结构。Ge的尺寸为纳米尺度，具有较小的体积膨胀效应。Ge和Cu构成网状结构骨架，在GeCu界面、网状结构Cu箔集流体界面之间通过冶金结合的方式互相连接，使电极结构获得良好的稳定性和导电性。此外，多孔网状结构一方面有利于缓解体积变化，另一方面为锂离子扩散提供通道。综上所述，Ge‑Cu复合的纳米网状电极在锂离子电池中可获得良好的电化学性能。与此同时，激光增材制造‑脱合金复合工艺具有效率高、成本低等优势。
主权项：1.一种制备Ge-Cu复合的纳米网状电极结构的方法，包括以下步骤：步骤1，将Cu箔固定于工作台上方，并在其表面预置GeAlCu混合粉末；步骤2，使用激光增材制造将所述混合粉末熔化后在所述Cu箔表面成形Al-Ge-Cu合金层，作为电极前驱体；步骤3，使用化学脱合金工艺，选择性腐蚀所述电极前驱体中的活泼元素Al，获得Ge-Cu复合的纳米网状电极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种制备Ge-Cu复合的纳米网状电极结构的方法
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