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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要：本发明公开一种抗总剂量高压NMOS结构，属于半导体器件技术领域。所述发明包括NMOS器件的栅端、源端、漏端、体区、衬底、场区、阱、漂移区、加固区、衬底、栅氧和岛状场区。本发明将体区与源漏端分离，抑制源漏与场区之间的漏电通道；用岛状场区将多晶引出，减少多晶下非沟道区域的面积；将多晶下非沟道区及岛状场区周围进行高剂量P型重掺，抑制源漏之间和场区之间的漏电通道，有效的提升高压NMOS器件的抗总剂量能力。
主权项：1.一种抗总剂量高压NMOS结构，其特征在于，包括：NMOS器件栅端101、源端102、漏端103、漂移区104、阱105、体区106、场区107、加固区108、衬底109、栅氧110、和岛状场区111；其中，所述栅端101为NMOS晶体管的栅压控制端，用于控制晶体管沟道的导通和关闭；所述源端102和所述漏端103为N型杂质的高掺杂区，在其上打孔并制作金属电极，分别作为源极S和漏极D；所述漂移区104为N型轻杂质掺杂区，用于提升NMOS器件的耐压；所述阱105为P型轻掺杂区，用于形成沟道及隔离；所述体区106为P型杂质的高掺杂区，在其上打孔并制作金属电极，作为体电位的引出；所述场区107为浅槽隔离STI区域，用于隔离及耐压；所述加固区108为P型杂质的高掺杂区，用于抑制场区产生的总剂量效应；所述衬底109为体硅衬底，所述栅氧110为SiO2介质层；所述岛状场区111与场区107一致，为浅槽隔离STI区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种抗总剂量高压NMOS结构
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