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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种阳极集成NMOS和浮空电极控制PMOS的RC‑IGBT器件，属于半导体技术领域，包括普通MOS区、阳极区PNP三极管、阳极浮空电极控制的PMOS和阳极自偏置NMOS；所述阳极区PNP三极管用于在正向导通时提供空穴；所述阳极浮空电极控制的PMOS的栅极信号由浮空电极提供，当漂移区耗尽到浮空电极处，电势下降到阈值电压，PMOS开启。本发明在防止器件产生负阻效应的前提下，通过抽取漂移区内的过剩的载流子让该器件的关断性能得到改善并且降低了该器件的饱和电流，提高了器件的可靠性。
主权项：1.一种阳极集成NMOS和浮空电极控制PMOS的RC-IGBT器件，其特征在于：包括普通MOS区、阳极区PNP三极管、阳极浮空电极控制的PMOS和阳极自偏置NMOS；所述阳极区PNP三极管用于在正向导通时提供空穴；所述阳极浮空电极控制的PMOS的栅极信号由浮空电极14提供，当漂移区4耗尽到浮空电极14处，电势下降到阈值电压，PMOS开启。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 一种阳极集成NMOS和浮空电极控制PMOS的RC-IGBT器件
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