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一种基于二维层状半导体材料与三维半导体衬底异质结的自驱动型光电突触及其制备方法 

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申请/专利权人:西安交通大学

摘要:本发明公开了一种基于二维层状半导体材料与三维半导体衬底异质结的自驱动型光电突触器件及其制备方法,包括三维半导体衬底、二维层状半导体层、非晶无定形层以及两个金属电极;所述二维层状半导体层位于三维半导体衬底表面,所述非晶无定形层在二维半导体层和三位半导体衬底之间界面自发形成,所述两个金属电极分别位于二维层状半导体层和三维半导体衬底表面,形成良好欧姆接触;二维层状半导体层的材料为层内以共价键结合层间以范德华力结合的材料,三维半导体衬底的材料为共价键晶体。以异质结界面处在生长过程中自发形成的非晶无定形层为电荷捕获层作为降低响应时间的功能层,因而该器件具有稳定且均匀的光电记忆能力,在宽波段光刺激可以通过模拟多种生物突触行为应用于低功耗感存算一体计算元器件。

主权项:1.一种基于二维层状半导体材料与三维半导体衬底异质结的自驱动型光电突触,其特征在于,包括三维半导体衬底3、二维层状半导体层1、非晶无定形层2以及两个金属电极4;所述二维层状半导体层1位于三维半导体衬底3表面上,所述非晶无定形层2位于二维半导体层1和三位半导体衬底3之间,所述两个金属电极4分别位于二维层状半导体层1和三维半导体衬底3顶部;二维层状半导体层1的材料为范德华材料,三维半导体衬底3的材料为共价键晶体。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安交通大学 一种基于二维层状半导体材料与三维半导体衬底异质结的自驱动型光电突触及其制备方法

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