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申请/专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片，其中，硅片的夹具损伤的预测方法包括：获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；若所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。本发明提供的技术方案，可降低夹具对硅片表面损伤的可能性，提高硅片质量。
主权项：1.一种硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，包括：获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；若所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态；获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢，包括：获取硅片的边缘区域的设定区域的至少一个设定位置点的Z-高度双重微分的取值；R为所述硅片的半径取值；ZR为所述硅片的半径为R的轮廓线上的位置点与参考平面在垂直于所述硅片所在平面的方向上的距离；通过所述设定位置点的Z-高度双重微分表征所述设定区域沿所述径向方向的厚度变化速率的快慢；在获取所述硅片的设定区域的至少一个设定位置点的Z-高度双重微分的取值之前，还包括：通过机台测试装置获取所述硅片的设定区域的不同位置点的硅片半径和Z-高度，并形成Z-高度与硅片半径之间的函数曲线；根据所述函数曲线获取Z-高度双重微分
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