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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明涉及一种压电阵列驱动的薄膜主动应力调控磨抛装置及方法，属于超精密抛光领域，该装置包括：包括应力调控单元、加工单元、控制单元和薄膜工件；所述的应力调控单元包括阵列压电平台和共用正电极，阵列压电平台由若干按照阵列分布的压电陶瓷运动平台构成，共用正电极设置在阵列压电平台的上方；所述的薄膜工件包括底层的基底和上层的薄膜，薄膜工件通过粘合层固定在共用正电极上；所述的加工单元位于薄膜工件上方，用于对薄膜工件进行加工；所述的控制单元用于控制加工单元在X、Y和Z轴方向运动，以及用于对各压电陶瓷运动平台输出相应的电压，加工时可通过应力调控单元实现对工件拉、压应力的调整，实现可控超精密磨抛。
主权项：1.一种压电阵列驱动的薄膜主动应力调控磨抛方法，其采用压电阵列驱动的薄膜主动应力调控磨抛装置实现，该装置包括应力调控单元、加工单元、控制单元和薄膜工件；所述的应力调控单元包括阵列压电平台和共用正电极，阵列压电平台由若干按照阵列分布的压电陶瓷运动平台构成，共用正电极设置在阵列压电平台的上方；所述的薄膜工件包括底层的基底和上层的薄膜，薄膜工件通过粘合层固定在共用正电极上；所述的加工单元位于薄膜工件上方，用于对薄膜工件进行加工；所述的控制单元用于控制加工单元在X、Y和Z轴方向运动，以及用于对各压电陶瓷运动平台输出相应的电压，其特征在于：其包括以下步骤：S1.对薄膜工件表面进行应力分布检测，得出薄膜工件本身的初始残余应力；S2.设定目标材料去除和亚表面损伤情况；S3.基于设定的目标材料去除和亚表面损伤情况，结合薄膜工件本身的初始残余应力，设定薄膜工件的全域表面目标预应力分布，并基于目标预应力分布计算各压电陶瓷运动平台的电压值；S4.控制单元根据计算所得的电压值向各压电陶瓷运动平台输出相应的电压，使得阵列压电平台产生可控变形，并在黏合层的作用下带动薄膜工件进行变形；S5.控制单元驱动加工单元对薄膜工件表面进行磨抛处理。
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权利要求：
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