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一种偏硼酸钠双折晶体的生长方法和用途 

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申请/专利权人:昌吉学院

摘要:本发明公开了一种偏硼酸钠双折晶体的生长方法和用途,该方法采用高温固相法合成NaBO2多晶原料,采用NaBO2单晶作为籽晶,用提拉法进行晶体生长。通过本发明所述方法可获得大尺寸和高质量的晶体,易于切割、抛光、加工和保存,不溶于水,不潮解,在空气稳定;适于制作光通信元件或各种用途的偏光棱镜,这些器件利用的是晶体的折射率特性,特别是较大的双折射率。

主权项:1.一种偏硼酸钠双折晶体的生长方法,其特征在于:采用提拉法生长晶体,具体操作按下列步骤进行:采用高温固相法制备的NaBO2多晶粉末:a、按摩尔比Na:B=1:1将含Na化合物和含B化合物混合,置于陶瓷坩埚中,将陶瓷坩埚置于马弗炉中,以5-10℃h的速率升温至500℃,保温1-3天,自然降至室温,即得到NaBO2多晶粉末,其中,含Na化合物为Na2CO3、NaBO2.4H2O、NaHCO3、NaNO3、NaCl或NaF;含B化合物为B2O3或H3BO3;制备NaBO2籽晶:b、将步骤a得到的多晶粉末放入铂金坩埚,将铂金坩埚放入马弗炉中升温至600℃,获得混合熔体,将混合熔体快速降温5-10℃,保温2-6个小时,重复此降温和保温过程,直至熔体液面出现漂晶,然后以0.5-10℃d的降温速率缓慢降至结晶完毕,再以10-50℃h的降温速率降至室温,自发结晶获得NaBO2籽晶;或将固定在籽晶杆上的铂金丝进入到混合熔体中,以1-5℃h的速率缓慢降温至铂金丝上出现晶体,然后以5-20rmin的旋转速度旋转籽晶杆,以0.1-10℃d的速率缓慢降温,待籽晶长到所需的尺寸后,将其提离液面,并以10-50℃h降温速率降至室温,获得NaBO2籽晶;其中所述籽晶的方向为晶体[100]、[010]、[001]、[111]方向,以及和[001]方向成0和180°之间的任意方向;制备NaBO2双折射晶体:c、将步骤a获得的多晶粉末放入铂金坩埚中,将铂金坩埚放到提拉炉中;d、将步骤b获得的NaBO2籽晶安装到籽晶杆上,关闭炉门,抽真空至10Pa,设置升温程序进行升温熔料;f、待步骤d原料完全熔化后,保持10-25h后进行晶体提拉生长,以2-15rmin的速度和0.1-1.5mmh的拉速进行生长,即得到NaBO2双折射晶体。

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