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申请/专利权人：中国人民解放军火箭军工程大学
摘要：本申请提供一种用于医疗成像的基于半导体COMS工艺的混合成像芯片，包括：在微桥面上设有从顶部到底部依次设置的P型半导体层、形变层以及红外吸收层，在P型半导体层内形成有晶体管对阵列，每个晶体管对包括P型半导体层的顶部区域设置的两个第一N型区域、底部区域设置的两个第二N型区域、两个第一N型区域的上方设置的第一栅介质层、两个第二N型区域的下方设置的第二栅介质层、第一栅电极、第二栅电极、第一源电极、第二源电极、第一漏电极以及第二漏电极，通过如此设置，灵敏度更高。
主权项：1.一种用于医疗成像的基于半导体COMS工艺的混合成像芯片，其特征在于，包括：半导体衬底、微桥结构、蛇形梁结构以及上电连接支撑柱；其中，所述上电连接支撑柱位于半导体衬底上，所述上电连接支撑柱通过蛇形梁结构与所述微桥结构连接，以使所述微桥结构悬置于所述半导体衬底上方；所述微桥结构内设有可变电容，在所述微桥结构吸收红外光后所述可变电容的电容量发生变化；所述微桥结构包括微桥面，所述微桥面包括从顶部到底部依次设置的P型半导体层、形变层以及红外吸收层；在所述P型半导体层内形成有晶体管对阵列；每个晶体管对包括：在所述P型半导体层的顶部区域设置的两个第一N型区域，在所述P型半导体层的底部区域设置的两个第二N型区域，在两个第一N型区域的上方设置的第一栅介质层，在所述第一栅介质层上设置的第一栅电极，在一个第一N型区域周围设置的第一源电极，在另一个第一N型区域周围设置的第一漏电极，在两个第二N型区域的下方设置的第二栅介质层，在所述第二栅介质层下方设置的第二栅电极，在一个第二N型区域周围设置的第二源电极，以及在另一个第二N型区域周围设置的第二漏电极；当所述红外吸收层吸收红外光后发热引起所述形变层发生翘曲时，使得位于两个所述第一N型区域之间的第一沟道电流变小，位于两个所述第二N型区域之间的第二沟道电流变大；其中，所述第一沟道电流和所述第二沟道电流为一对差分电流信号，所述差分电流信号用于确定红外光强度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军火箭军工程大学 用于医疗成像的基于半导体COMS工艺的混合成像芯片
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