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申请/专利权人：上海大学;上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院
摘要：本发明公开一种使用区熔法生长高纯铁单晶的方法，属于晶体材料制造技术领域。所述高纯铁单晶的方法包括将铁棒料放置于垂直区熔炉内并夹持；控制线圈的电流，使铁棒料形成熔体进行区熔提纯，将杂质主要集中于铁棒两端；控制线圈电流，对纯度较高的铁棒料部分加热形成熔体；保持下轴不动，控制上轴上拉形成细颈；然后控制上轴和下轴同步运动，进行铁单晶生长；生长完毕后保持线圈电流静置，随后将线圈电流减小至40A，关闭感应电源，冷却后取出铁单晶棒。本发明通过垂直浮区区熔法提高铁的纯度，提高成晶率；另外，通过对线圈电流、上轴和下轴的运行方式的调控，实现对高纯铁单晶生长的精确控制，克服铁单晶生长过程中晶体方向性易出现偏差的缺点。
主权项：1.一种使用区熔法生长高纯铁单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：1将铁棒料放置于垂直区熔炉内并夹持；2控制线圈的电流，使铁棒料被线圈加热形成熔体，对铁棒料进行区熔提纯，将杂质主要集中于铁棒两端；3控制线圈的电流，对铁棒料中部加热形成熔体；4保持下轴不动，控制上轴上拉4-5mm，形成细颈；所述上轴的上升速率为2mmmin；所述细颈的直径小于等于4mm、长度大于等5mm；5控制上轴和下轴同步运动，以0.33mmmin的速率进行生长；6生长完毕后保持线圈当前电流不变静置30min，随后线圈电流以1A5min的速率减小至40A，关闭感应电源，待腔体冷却后取出铁单晶棒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 上海大学(浙江)高端装备基础件材料研究院 一种使用区熔法生长高纯铁单晶的方法
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