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申请/专利权人：株式会社迪思科
摘要：本发明提供晶片的加工方法，在贴合晶片的磨削工序中，能够一边抑制器件的破损一边去除外周剩余区域。晶片的加工方法包含如下的步骤：贴合晶片形成步骤，将第一晶片的正面侧与第二晶片接合；第一改质层形成步骤，沿着第一晶片的比外周缘靠内侧规定距离的位置照射激光束，在第一晶片的内部形成环状的第一改质层和在正面侧露出的第一裂纹，由此在外周区域中产生翘曲；第二改质层形成步骤，对第一晶片的该外周区域照射激光束，在第一晶片的内部形成多个环状的第二改质层和在正面侧露出的第二裂纹，由此在外周区域中产生翘曲；以及磨削步骤，将第一晶片从背面侧进行磨削而薄化至完工厚度，通过外周区域的翘曲来解除第一晶片与第二晶片的接合。
主权项：1.一种晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：贴合晶片形成步骤，将正面侧形成有多个器件且外周缘被倒角的第一晶片的该正面侧与第二晶片接合而形成贴合晶片；第一改质层形成步骤，在实施了该贴合晶片形成步骤之后，从该第一晶片的背面侧沿着比该外周缘靠内侧规定距离的位置呈环状照射透过该第一晶片的波长的激光束，在该第一晶片的内部形成环状的第一改质层和从该第一改质层伸展而在该第一晶片的该正面侧露出的第一裂纹，由此在比该第一改质层和该第一裂纹靠该外周缘侧的外周区域中产生翘曲；第二改质层形成步骤，在实施了该贴合晶片形成步骤之后，对该外周区域呈环状照射透过该第一晶片的波长的激光束，在该第一晶片的内部形成多个环状的第二改质层和从该第二改质层伸展而在该第一晶片的该正面侧露出的第二裂纹，由此在该外周区域中产生翘曲；以及磨削步骤，在实施了该第一改质层形成步骤和该第二改质层形成步骤之后，将该贴合晶片的该第一晶片从该背面侧进行磨削而薄化至完工厚度，通过在该第一改质层形成步骤和该第二改质层形成步骤中产生的该外周区域的翘曲来解除该第一晶片与该第二晶片的接合。
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