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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及微电子技术领域，尤其是涉及一种耐久性铪基铁电器件及其制备方法和应用，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述底电极和所述功能层之间和或所述功能层和所述顶电极之间设置有界面层，所述界面层为通过磁控溅射或原子层沉积技术生长的TiOx薄膜。本发明在不改变工艺条件下，TiOx界面插层可以在退火过程中预结晶，而TiOx结晶层会进一步辅助铁电功能层结晶，因此极化值不仅可以得到保证，而且还会降低界面处氧空位的缺陷数量，由此在耐久性测试过程中，可以减少氧空位的产生，使器件的耐久性得到显著提升。
主权项：1.一种耐久性铪基铁电器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述底电极和所述功能层之间和或所述功能层和所述顶电极之间设置有界面层，所述界面层为通过磁控溅射或原子层沉积技术生长的TiOx薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种耐久性铪基铁电器件及其制备方法和应用
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