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申请/专利权人：盛合晶微半导体(江阴)有限公司
摘要：本发明公开了一种双大马士革结构的制备方法，该制备方法包括提供一半导体基底，在半导体基底的上方依次形成第一介电层、刻蚀阻挡层。刻蚀所述刻蚀阻挡层，以在刻蚀阻挡层内形成暴露所述第一介电层的第一开口。在刻蚀后的刻蚀阻挡层的表面形成第二介电层，并使所述第二介电层填充第一开口。刻蚀第二介电层，以在第二介电层对应于第一开口的位置形成沟槽，此时沟槽的底壁暴露出刻蚀阻挡层以及第一开口，继续基于第一开口刻蚀第一介电层，以在第一介电层中形成通孔。本发明整体具有较小的介电常数，沟槽及通孔是借助刻蚀阻挡层形成，所以沟槽及通孔的尺寸可控，能够保证通孔深度的均匀性，解决了由于无中间层导致的刻蚀负载问题。
主权项：1.一种双大马士革结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底的上方依次形成第一介电层、刻蚀阻挡层；刻蚀所述刻蚀阻挡层，以在刻蚀阻挡层内形成暴露所述第一介电层的第一开口；在刻蚀后的刻蚀阻挡层的表面形成第二介电层，并使所述第二介电层填充所述第一开口；刻蚀所述第二介电层，以在所述第二介电层对应于所述第一开口的位置形成沟槽，所述沟槽的底壁暴露出刻蚀阻挡层以及所述第一开口，继续基于所述第一开口刻蚀第一介电层，以在所述第一介电层中形成通孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 一种双大马士革结构的制备方法
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