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申请/专利权人：陕西科技大学
摘要：本发明公开了一种通过Sm和Ta共掺杂调控氧空位制备高熵陶瓷的方法及高熵陶瓷，方法包括步骤：1、按化学式1‑xNaBiBaSrCa0.2TiO3‑xSmTaO4，称取TiO2、BaCO3、Na2CO3、SrCO3、CaCO3、Bi2O3、Ta2O5和Sm2O3混合，球磨和烘干，得到混合物，其中，x为摩尔质量百分比，且x＝0.01、0.03、0.05或0.07；2、将混合物压块后置于马弗炉，在835‑865℃下，预烧4～6h，球磨、烘干和过筛，得到高熵陶瓷粉体；3、将高熵陶瓷粉体压制成型，得到陶瓷生胚，将陶瓷生胚置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，将氧化铝匣钵置于箱式炉中，先以3℃min的升温速率自室温升温至600℃，再以5℃min的升温速率，升温至1265～1295℃并保温2～6h，以5℃min的降温速率降温至500℃，随炉冷却，得到高熵陶瓷，具有高储能密度和储能效率。
主权项：1.一种通过Sm和Ta共掺杂调控氧空位制备高熵陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、按照化学式1-xNaBiBaSrCa0.2TiO3-xSmTaO4，分别称取TiO2、BaCO3、Na2CO3、SrCO3、CaCO3、Bi2O3、Ta2O5和Sm2O3混合，依次球磨和烘干，得到混合物，其中，x为摩尔质量百分比，且x＝0.01、0.03、0.05或0.07；步骤2、将混合物压块后，置于马弗炉，在835-865℃下，预烧4～6h，依次球磨、烘干和过筛，得到1-xNaBiBaSrCa0.2TiO3-xSmTaO4粉体；步骤3、将1-xNaBiBaSrCa0.2TiO3-xSmTaO4粉体压制成型，得到陶瓷生胚，将陶瓷生胚置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，接着将氧化铝匣钵置于箱式炉中，先以3℃min的升温速率，自室温升温至600℃，接着以5℃min的升温速率，升温至1265～1295℃并保温2～6h，然后以5℃min的降温速率，降温至500℃，最后随炉冷却至室温，得到高熵陶瓷。
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权利要求：
百度查询： 陕西科技大学 一种通过Sm和Ta共掺杂调控氧空位制备高熵陶瓷的方法及高熵陶瓷
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