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申请/专利权人：张江国家实验室
摘要：本发明涉及一种用于半导体工艺的图案化方法及图案化系统，与以往的传统技术相比，能够以相对较低的制造成本、相对较小的制造难度以及相对较短的制造周期来实现基底材料上形成的图案密度的增加以及图案尺寸的微缩。
主权项：1.一种用于半导体工艺的图案化方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1在基底材料上形成硬掩膜层；2在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，并利用光刻工艺来形成第一光刻胶图形；3以所述第一光刻胶图形为掩膜，利用选择性刻蚀工艺，将所述第一光刻胶图形转移到所述硬掩膜层，以形成第一硬掩膜层图形；4利用选择性刻蚀工艺，来减小所述第一光刻胶图形的尺寸，以形成第二光刻胶图形；5利用镀膜工艺，在所述基底材料、所述第一硬掩膜层图形、所述第二光刻胶图形上形成间隔层；6利用去胶工艺，去除所述第二光刻胶图形，以在所述第一硬掩膜层图形上形成间隔层轮廓线图形；7以所述间隔层轮廓线图形为掩膜，利用选择性刻蚀工艺，将所述间隔层轮廓线图形转移到所述第一硬掩膜层图形，以形成硬掩膜层轮廓线图形；8去除所述间隔层，以留下所述硬掩膜层轮廓线图形；以及9以所述硬掩膜层轮廓线图形为掩膜，利用刻蚀工艺，将所述硬掩膜层轮廓线图形转移到所述基底材料，以形成基底材料轮廓线图形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 张江国家实验室 用于半导体工艺的图案化方法及图案化系统
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