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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：本文描述用于在基板的特征内生长氧化物层的方法及设备。此方法适用于半导体制造中。氧化物层为通过使基板暴露于高压氧化剂暴露及低压含氧等离子体暴露两者来形成。高压氧化剂暴露在大于10托的压力下执行，而低压含氧等离子体暴露在小于约10托的压力下执行。这些特征为在氧化硅层及氮化硅层的堆叠内的高深宽比沟槽或孔。
主权项：1.一种适用于半导体制造中用于处理基板的设备，包括：处理系统，包括；腔室主体；处理气体源，耦合至所述腔室主体并且经配置以将处理气体引入处理区域中；基板支撑件，经配置以在所述处理区域内支撑基板；及控制器，经配置以：在大于约20托的第一压力下使基板暴露于来自所述处理气体源的氧化剂；使所述基板周围的压力从所述第一压力减少至小于约10托的第二压力；以及在所述基板周围的所述压力处于所述第二压力下时使所述基板暴露于含氧等离子体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于在特征中形成氧化物层的双重压力氧化方法
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