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基于HTCC的高气密互联过渡装置及过渡结构 

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申请/专利权人:石家庄烽瓷电子技术有限公司

摘要:本发明公开了一种基于HTCC的高气密互联过渡装置及过渡结构,涉及系统级封装装置技术领域。所述过渡装置包括一个多层HTCC腔体过渡结构,所述多层HTCC腔体过渡结构上形成有过渡腔,所述过渡腔的上端开口设置有空气腔,所述空气腔的一个侧面设置有开口,所述过渡腔的下端开口设置有传输波导,所述空气腔与多层HTCC腔体过渡结构之间以及多层HTCC腔体过渡结构与所述传输波导之间形成气密密封结构。所述过渡户装置具有结构稳定、气密性良好,可靠性高等优点。

主权项:1.一种基于HTCC的高气密互联过渡装置,其特征在于:包括一个多层HTCC腔体过渡结构(101),所述多层HTCC腔体过渡结构(101)上形成有过渡腔(102),所述过渡腔(102)的上端开口设置有空气腔(103),所述空气腔(103)的一个侧面设置有开口,所述过渡腔(102)的下端开口设置有传输波导(104),所述空气腔(103)与多层HTCC腔体过渡结构(101)之间以及多层HTCC腔体过渡结构(101)与所述传输波导(104)之间形成电气密的电磁波传输结构。

全文数据:

权利要求:

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