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申请/专利权人：廖兵
摘要：本实用新型公开一种瞬态抑制二极管上料机构，包括：底座，位于底座的顶部固定安装有一上端转动安装有转轴的竖板，转轴的外壁上固定安装有一上料辊，此上料辊沿转轴长度方向间隔设置有两个，且在两个上料辊之间形成供半导体主体放置的容置空间，沿上料辊的周向侧壁间隔设置有若干个凸条，从而在相邻凸条之间形成一用于半导体引脚放置的限位槽，平行于转轴且在竖板上滑动连接有一T型杆，且该T型杆靠近上料辊的一端固定安装有一电磁铁，上料辊与电磁铁磁吸配合。本实用新型瞬态抑制二极管上料机构既缩短了传输距离，又减小了占地面积，从而节约了空间资源，还可以实现转动的止位，避免了加工不稳定的情况。
主权项：1.一种瞬态抑制二极管上料机构，包括：底座（1），其特征在于：位于所述底座（1）的顶部固定安装有一上端转动安装有转轴（3）的竖板（2），所述转轴（3）的外壁上固定安装有一上料辊（8），此上料辊（8）沿转轴（3）长度方向间隔设置有两个，且在两个上料辊（8）之间形成供半导体（6）主体放置的容置空间；沿所述上料辊（8）的周向侧壁间隔设置有若干个凸条（9），从而在相邻凸条（9）之间形成一用于半导体（6）引脚放置的限位槽（10），平行于转轴（3）且在竖板（2）上滑动连接有一T型杆（5），且该T型杆（5）靠近上料辊（8）的一端固定安装有一电磁铁（7），所述上料辊（8）与电磁铁（7）磁吸配合。
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权利要求：
百度查询： 廖兵 瞬态抑制二极管上料机构
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