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申请/专利权人：法国原子能源和替代能源委员会;泰勒斯公司
摘要：光电器件包括：p掺杂的第一半导体层106和n掺杂的第二半导体层108，它们叠置并形成p‑n结；第一电极122，电连接到第一半导体层并形成器件的阳极；栅118，抵靠第一半导体层的至少一个侧面定位；第二电极128，抵靠第二半导体层的侧面定位，电连接到第二半导体层并与第一半导体层电隔离，其中第二电极的一部分132抵靠所述栅定位，使得第二电极电连接到所述栅并形成所述器件的栅电极和阴极。
主权项：1.一种光电器件，至少包括：-p掺杂的第一半导体层106和n掺杂的第二半导体层108，其中一层置于另一层之上并一起形成p-n结；-第一电极122，电连接到所述第一半导体层106并形成所述光电器件的阳极；-栅118，被布置为抵靠所述第一半导体层106的至少一部分的至少一个侧面，其中所述栅包括栅介电材料层和在栅介电材料层上沉积的栅118的导电材料层；-第二电极128，被布置为抵靠所述第二半导体层108的至少一部分的至少一个侧面，电连接到所述第二半导体层108的所述部分，并且与所述第一半导体层106电绝缘；并且其中，所述第二电极128的至少一部分132被布置为抵靠所述栅118的导电材料层，使得所述第二电极128电连接到所述栅118的导电材料层并形成所述光电器件的栅电极和阴极二者。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 法国原子能源和替代能源委员会 泰勒斯公司 包括彼此耦接的栅和阴极的光电器件
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