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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本发明涉及一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法，包含：导电基底，所述导电基底的在其上表面镀有半透明的ITO薄膜；顶电极，所述顶电极为含有镓铟共晶液态合金的针尖，以及包覆在所述针尖外表面的Ga氧化物层；有机分子膜，所述有机分子膜连接于所述导电基底和所述顶电极之间，所述有机分子膜是金属配合物分子的单分子层；固化胶，对所述导电基底、所述顶电极、所述有机分子膜封装。
主权项：1.一种基于金属配合物的单分子层忆阻器，其特征在于：所述基于金属配合物的单分子层忆阻器的电学测试结构为：镓铟共晶液态合金Ga氧化物层有机分子膜导电基底分子结，其中，“”代表共价键，“”代表两者是范德华接触；所述基于金属配合物的单分子层忆阻器包含：导电基底，所述导电基底的在其上表面镀有半透明的ITO薄膜；顶电极，所述顶电极为含有镓铟共晶液态合金的针尖，以及包覆在所述针尖外表面的Ga氧化物层；有机分子膜，所述有机分子膜连接于所述导电基底和所述顶电极之间，所述有机分子膜是金属配合物分子的单分子层，有机分子膜由所述导电基底浸泡于金属配合物分子的溶液中，金属配合物分子在ITO导电膜表面自组装而成；固化胶，对所述导电基底、所述顶电极、所述有机分子膜封装。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法
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