买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：电子科技大学

摘要：一种非易失存储芯片耐久性性质探究方法及探究装置，属于非易失存储器领域。包括S1设置探究性质；S2设置测试向量；S3将测试向量写入到非易失存储器芯片；S4读出并比对写入的值与读出的值是否一致；S5比较当前测试次数是否达到设定测试周期，达到测试周期，则导出测试结果到上位机；未达到测试周期则继续执行S3；S6：上位机判断当前测试容量是否达到设定的测试容量，未达到测试容量则继续执行S2，根据设置的探究性质修改测试向量相应参数，达到测试容量则执行S7；S7：上位机根据测试结果分析测试数据。此外，还提出一种探究装置，用于实现探究方法。本发明考虑多种因素，提供了一种芯片级耐久性性质探究方法，用来探究非易失存储器芯片级耐久性。

主权项：1.一种非易失存储芯片耐久性性质探究方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：设置探究性质，探究性质包括比特翻转率、测试地址物理位置、输入模式；步骤S2：设置测试向量；步骤S3：将测试向量写入到非易失存储器芯片；步骤S4：读出写入地址的值，并比对写入的值与读出的值是否一致；测试结果格式为测试次数+结果比对是否一致，如果一致就在测试结果中记录“ff”，如果不一致就在测试结果中记录“00”；步骤S5：比较当前测试次数是否达到设定测试周期，如果达到测试周期，则执行步骤S6；如果没有达到测试周期则继续执行步骤S3；步骤S6：导出测试结果到上位机；步骤S7：上位机判断当前测试容量是否达到设定的测试容量，如果未达到测试容量则继续执行步骤S2，根据设置的探究性质修改测试向量的相应参数，同时保持其他参数不变；如果达到测试容量则执行步骤S8；步骤S8：上位机根据测试结果分析测试数据，可视化测试结果；步骤S2具体包括如下步骤：设置测试向量根据步骤S1设置的探究性质选择相应的测试向量设置步骤，当步骤S1中设置的探究性质为比特翻转率，则首次执行步骤S2时执行步骤S21及步骤S22，后续执行步骤S2时执行步骤S22；当步骤S1中设置的探究性质为测试地址物理位置，则首次执行步骤S2时执行步骤S21及步骤S23，后续执行步骤S2时执行步骤S23；当步骤S1中设置的探究性质为输入模式，则首次执行步骤S2时执行步骤S21及步骤S24，后续执行步骤S2时执行步骤S24；步骤S21：设置测试向量长度，根据被测的非易失存储器芯片IO位宽指定测试向量长度；默认基准测试向量为全0或全1；步骤S22：设置比特翻转率，设置实验测试向量的比特翻转率，即相比于基准测试向量，实验测试向量比特翻转个数与实验测试向量长度的比值；此外，还需要设置翻转比特的位置，不同位置的比特翻转，也会对非易失存储器芯片耐久性造成影响；步骤S23：设置测试地址物理位置，设置测试向量输入非易失存储器芯片地址，需要注意输入地址的物理位置，物理位置位于非易失存储器芯片中间或边缘都会影响其耐久性；步骤S24：设置输入模式，输入模式包括连续输入相同地址，依次输入一组地址的方式。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种非易失存储芯片耐久性性质探究方法及探究装置