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申请/专利权人：山西烁科晶体有限公司

摘要：本发明提供了一种单晶生长的坩埚和方法，属于晶体生长技术领域。本发明提供的坩埚包括坩埚本体，所述坩埚本体包括保温结构，置于所述保温结构内部的加热坩埚，置于所述加热坩埚内部的生长坩埚；所述保温结构与加热坩埚底部相互接触，所述加热坩埚和生长坩埚底部相互接触；所述保温结构和加热坩埚的侧壁之间、所述加热坩埚和生长坩埚的侧壁之间有空隙。本发明的坩埚在加热坩埚和生长坩埚之间设置空隙并有气流通过，将从生长坩埚扩散出来的气氛由两层坩埚间的气流直接带出坩埚，避免了生长坩埚内挥发的气氛对加热坩埚以及保温结构的腐蚀，极大的延长了加热坩埚及保温材料的寿命；同时，保证了生长坩埚内的热场稳定，进而提高单晶生长的稳定性。

主权项：1.一种单晶生长的坩埚，其特征在于，包括保温结构1，置于所述保温结构1内部的加热坩埚2，置于所述加热坩埚2内部的生长坩埚3；所述保温结构1与加热坩埚2底部相接触，所述生长坩埚3底部边缘部分与加热坩埚2底部相接触；所述保温结构1包括保温结构本体1-1和与保温结构本体相匹配的保温结构盖1-2；所述加热坩埚2包括加热坩埚本体2-1和与加热坩埚本体相匹配的加热坩埚盖2-2；所述生长坩埚3包括生长坩埚本体3-1和与生长坩埚本体相匹配的生长坩埚盖3-2；所述保温结构1和加热坩埚2的侧壁之间、所述加热坩埚2和生长坩埚3的侧壁之间有空隙，分别为第一空隙A和第二空隙B；所述保温结构本体1-1的底部中心和加热坩埚本体2-1的底部中心设有通气孔E；所述生长坩埚本体3-1的底部中央区域与加热坩埚本体2-1的底部之间有第三空隙C；所述加热坩埚本体2-1的底部设置通气管道D连通所述第二空隙B和第三空隙C；所述通气孔E、第三空隙C和通气管道D连通；所述保温结构盖1-2的中央设置通气孔G；所述加热坩埚盖2-2上设置有通气孔F；所述保温结构、加热坩埚和生长坩埚同轴设置；所述单晶生长的坩埚还包括抽气系统4；所述抽气系统4、第一空隙A和通气孔G形成一条气体通路；所述抽气系统4与通气孔G、通气孔F、第二空隙B、通气管道D、第三空隙C和通气孔E形成一条气体通路；所述生长坩埚盖3-2的内顶部设置有籽晶区3-2-1和导流筒3-2-2；所述籽晶区3-2-1位于所述生长坩埚盖3-2的内顶部中央。

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